**产品简介:**100N02-VB是一款TO252封装的单路N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负值),1.7V的阈值电压(Vth),在
2024-07-04 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、BUK482-100A-VB 产品简介BUK482-100A-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。该MOSFET 使用Trench技术设计,能够在高达
2025-01-13 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
厂家供应 DNT100全铜螺母 交流气动点焊机点焊工艺是一种形成结合的金属连接。在焊接时焊件通过焊接电流局部发热,并在焊件的接触加热处施加压力,形成一个焊点。点焊是一种高速、经济的连接
2021-12-27 11:20 衡水金仕达机械制造有限公司 企业号
100N3LF3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),在VGS=4.5V
2024-07-04 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 100N10F7-VB 产品简介:100N10F7-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO220F。该器件具有 100V 的漏极-源极电压(V
2024-07-04 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**B100NF04-VB** 是一款单极N沟道MOSFET,封装形式为TO263。它采用Trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于高效能电力电子应用。此MOSFET
2025-01-07 10:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 100N06L-VB 产品简介:100N06L-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 DFN8(3X3)。该器件具有 60V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极
2024-07-04 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**B100NH02L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有出色的开关性能和低导通电阻,特别适合高
2025-01-07 10:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 100N03A-VB 产品简介:100N03A-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO220。该器件具有 30V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压
2024-07-04 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号
100N04-VB 是一款 TO263 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数:- VDS(漏极-源极电压):40V- VGS(栅极-源极电压):±20V- Vth(阈值电压
2024-07-04 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号