电子发烧友

型号：X<b class='flag-s-7'>3C09F</b>1-20S 品牌：

  TTM Technologies 的 X3C09F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 700 MHz 至 1 GHz，耦合为 19.7 至 20 dB，耦合变化 ±0.5

2023-08-15 15:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：XL-304PDC 品牌：成兴光

F3/3mm红外接收管

2023-02-17 16:27 成兴光电子 企业号

型号：XL-304IRC-940 品牌：成兴光

F3/3mm红外发射940（IV=8-12mcd，(Typ)@IF=20mA)

2023-02-17 16:26 成兴光电子 企业号

型号：74AUP1G<b class='flag-s-7'>09FS3</b>-7 品牌：美台

--- 产品详情 ---深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。74AUP1G09FS3-7   由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后

2022-07-12 13:49 深圳市港禾科技有限公司 企业号

型号：XL-302HIRC-850 品牌：成兴光

F3/3mm红外发射850（IV=20-35mcd，(Typ)@IF=20mA)

2023-02-17 16:24 成兴光电子 企业号

型号：M<b class='flag-s-7'>09N65F</b>-VB 品牌：微碧

### 一、M09N65F-VB 产品简介M09N65F-VB 是一款高电压、高性能的单N沟道MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计。该器件的漏源电压（VDS）高达 650V，适合

2025-09-15 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QM<b class='flag-s-7'>09N65F</b>-VB 品牌：微碧

### QM09N65F-VB 产品简介QM09N65F-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为高压和高电流应用设计。其最大漏极源极电压（VDS）可达650V，最大漏极

2025-09-16 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QM<b class='flag-s-7'>09N50F</b>-VB 品牌：微碧

### QM09N50F-VB 产品简介QM09N50F-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为需要高耐压和低功耗的应用设计。该器件具有650V的漏源电压能力，采用

2025-09-16 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：X4C<b class='flag-s-7'>09F</b>1-30S 品牌：

   TTM Technologies 的 X4C09F1-30S 是一款定向耦合器，频率为 460 MHz 至 1 GHz，耦合为 30 至 32 dB，耦合变化

2023-08-11 10:01 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：APTM10DSKM<b class='flag-s-7'>09T3</b>G 品牌：

APTM10DSKM09T3G型号简介       APTM10DSKM09T3G是Microchip推出的一款功率模块，它的设计简化了驱动电路，低栅极电荷

2024-10-31 12:04 立年电子科技 企业号