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型号：UT<b class='flag-s-7'>08N60F</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介：**UT08N60F-VB** 是一款采用 TO220F 封装的单通道 N 型 MOSFET，适用于高电压、高功率的开关应用。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 额定值

2025-09-22 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>08</b>N50C3-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 08N50C3-VB 产品简介：08N50C3-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO220F。该器件具有高达 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的栅极-源极

2024-07-03 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MT29<b class='flag-s-7'>F8G08</b>ABBCAH4-IT:C 品牌：

如需了解更多信息或进行技术咨询，欢迎链接我。不要留言，留言看不到。MT29F8G08ABBCAH4-IT:C 产品概述MT29F8G08ABBCAH4-IT:C 是由 Micron 生产的一款高性能

2025-02-09 09:59 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：LP3983SAB5<b class='flag-s-7'>F-08</b> 品牌：德州仪器

--- 产品详情 ---深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。LP3983SAB5F-08   由于电子元器件价格因市场浮动，网站展示价格仅为参考价，不能作为最后

2022-07-15 10:06 深圳市港禾科技有限公司 企业号

型号：QM<b class='flag-s-7'>08N60F</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**QM08N60F-VB** 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高压应用设计。其最大漏极源极电压（VDS）高达650V，能够承受最大10A的持续电流

2025-09-16 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NV<b class='flag-s-7'>08</b> 品牌：

NP2F3202，NP2F3202芯片精度高、具有环境光抑制和温度补偿功能，可应用于室外环境的深度感测。NV08具有高集成度、低功耗、高精度等特点，适用于3D人脸识别

2021-09-22 16:43 光微科技 企业号

型号：100N<b class='flag-s-7'>08</b>N-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

100N08N-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），2.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V

2024-07-04 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SA/SWA吸波<b class='flag-s-7'>材料</b> 品牌：

产品介绍 PRODUCT INTRODUCTION吸波片是指能吸收投射到它表面的电磁波能量的一类材料，将这种材料应用于电子设备中可吸收泄露的电磁辐射，能达到消除电磁干扰的目的。 产品特点

2024-05-15 13:22 EMTRON 企业号

型号：D5V0<b class='flag-s-7'>F2U3LP08</b> 品牌：

D5V0F2U3LP08  产品简介DIODES 的 D5V0F2U3LP08 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备 免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合 使其非常

2023-10-11 11:15 立年电子科技 企业号

型号：NP<b class='flag-s-7'>08</b>N50CF-VB 品牌：微碧

### NP08N50CF-VB 产品简介NP08N50CF-VB是一款高压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压应用设计。这款MOSFET具有650V的最大漏极-源极电压（VDS

2025-09-15 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号