型号: STP80NF55-08-VB丝印: VBM1606品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 60V- 最大电流: 120A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 5m
2023-12-15 10:04 微碧半导体VBsemi 企业号
**STP4953-VB 详细性能参数**- **型号**:STP4953-VB- **丝印**:VBA4338- **品牌**:VBsemi- **参数**: - 2个P—Channel
2024-04-10 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi STP3401-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管,具有-30V电压、-5.6A电流,RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V、VGS=20V,阈值电压为-1V。该器件采用
2024-04-09 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:STP3407-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi封装:SOT23参数:- 沟道类型:P—Channel- 最大漏极电压:-30V- 最大漏极电流:-5.6A- 静态漏极-源极电阻
2024-04-09 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数说明:****产品型号:** STP4803-VB **丝印:** VBA4338 **品牌:** VBsemi **参数:** - 沟道
2024-04-09 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:STP3NK60ZFP-VB丝印:VBMB165R04品牌:VBsemi参数:- 类型:N沟道- 额定电压(Vds):650V- 最大持续电流(Id):4A- 导通电阻(RDS
2023-12-14 10:02 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi STP4407-VB是一款P沟道场效应晶体管,具有-30V的额定电压和-11A的额定电流。其RDS(ON)为10mΩ@VGS=10V和VGS=20V,阈值电压为-1.42V。该器件采用
2024-04-09 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi STP4953AM-TRG-VB P沟道MOSFET****产品特点:**- **型号:** STP4953AM-TRG-VB- **丝印:** VBA4338- **品牌
2024-04-10 11:00 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:STP80NF06-VB丝印:VBM1606品牌:VBsemi参数:- 封装:TO220- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:60V- 最大电流:120A- 开态电阻:RDS
2023-12-28 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi STP3407C-VB 晶体管参数说明:**- **型号:** STP3407C-VB- **丝印:** VB2355- **品牌:** VBsemi- **封装:** SOT23
2024-04-09 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号