**产品简介:**VBsemi的072N15N-VB是一款TO263封装的单N沟道场效应管。它具有150V的漏极-源极电压(VDS),20V的门-源电压(VGS,±V),3V的阈值电压(Vth
2024-07-03 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品072N03S-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:072N03S-VB - 封装:SOP8 - 构造:单N沟道
2024-07-03 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: BSO072N03S-VB丝印: VBA1311品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 30V- 最大电流: 12A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 12m
2023-12-15 09:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi的072N10N-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用槽沟技术,适用于100V的高压工作环境。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合在需要高效能和低功耗的电路
2024-07-03 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:VBsemi的072N10N-VB是一款TO262封装的单通道N沟道MOSFET,具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负)和2.5V的阈值电压
2024-07-03 14:44 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**VBsemi的072N025S-VB是一款DFN8(5X6)封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、1.7V
2024-07-03 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC072N025S G-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,专为高效能和紧凑设计的应用而优化。其漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS
2025-01-08 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品075N15N-VB的详细信息:1. 产品简介: 075N15N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channe
2024-07-03 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号