### 4P04L04-VB 产品简介4P04L04-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,具备高电流处理能力和低导通电阻特性。该器件采用槽道技术(Trench),适用于
2024-11-13 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4P04L04-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,具有负向工作电压能力和低导通电阻特性,适用于高性能和高功率密度的应用场合。### 详细参数
2024-11-13 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM202N04-04P-T1-PF-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,适合高电流和低导通电阻要求的应用。它采用Trench技术制造,具有优良的导通特性和稳定的性能。### 详细
2024-11-28 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4N04L04-VB 产品简介4N04L04-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装。它具有优秀的导通特性和高电流承载能力,适用于要求高功率密度和高效率的电子电路设计。采用
2024-11-12 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
AD7911ARMZ 特性吞吐量:250 kSPS额定电压(VDD):2.35 V至5.25 V低功耗: 4 mW(典型值,250 kSPS、3 V电源) 13.5 mW(典型值,250 kSPS
2024-03-25 11:29 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号:4N04L04-VB**4N04L04-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能量转换和高电流驱动的电子
2024-11-12 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4P03L04-VB 产品简介4P03L04-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,具备高电流处理能力和低导通电阻特性。该器件采用槽道技术(Trench),适用于
2024-11-13 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N04H1-VB MOSFET产品简介4N04H1-VB是一款双N沟道MOSFET,采用TO263-7L封装,由VBsemi公司生产。它具有低导通电阻和高漏源电压特性,适合需要高功率处理
2024-11-12 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号