思特威推出全新0.7μm像素尺寸5200万CMOS图像传感器
2022-12-26 18:03
CMOS工艺发展到深亚微米阶段，芯片的静电放电（ESD）保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构，本文提出了一种新颖
2012-03-27 16:27
、1.12微米背面照明(BSI) CMOS图像传感器推出样品。 新款1.12微米的图像传感器“T4K35”整合了背面照明和彩色降噪技术，令其信噪比(SNR)与东芝现有的1.4微
2018-11-14 20:34
台湾HSINCHU - 台湾半导体制造有限公司宣称是第一家开始量产的硅芯片生产用于相机，玩具，数字电视，计算机嵌入式相机和其他系统应用的0.35微米CMOS图像传感器。
2019-08-13 10:34
关键词：图像传感器 东芝公司今天宣布推出带色彩降噪(CNR)的1.12微米、1300万像素BSI CMOS图像传感器“T4K37”。从今天开始批量生产。 该产品采用业界最小级别的1.12微米像素工艺
2018-10-28 00:36
对于35微米通孔，则有两种情况，一种情况是调整一下外光路和激光参数或者采取激光焦点离焦的做法，让激光对铜箔的有效光斑加大到35微米，采用和25微米通孔钻孔一样的烧孔方式加工，这样可以快速烧出需要
2018-09-07 15:19
本文介绍了一种适用于频分复用（FDD）网络的低功耗、多频段、全集成化单芯片UMTS W-CDMA/HSDPA直接转换型收发器。它采用 0.13微米CMOS工艺制造而成。该设计包括三条零中频接收（RX
2018-11-21 09:27
SK海力士表示，为了应对以更小模块尺寸实现较高分辨率的竞争，SK海力士旗下的“黑珍珠（Black Pearl）”系列新推出的4款1.0μm（微米）级图像传感器产品将像素尺寸从原来的1.12μm降低到1.0μm。
2020-03-30 14:21
在亚微米以下的电路设计中，需要对电路进行全芯片的ESD保护结构的设计。如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为全芯片设计者的主
2012-04-23 10:17
韩国半导体巨头SK海力士今日发文介绍称，旗下新款CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器采用了1.0微米像素技术。
2020-03-31 09:16
