思特威推出全新0.7μm像素尺寸5200万CMOS图像传感器
2022-12-26 18:03
和舰科技自主创新研发的0.16 微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18 微米工艺技术基础上，将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩（实际尺寸为0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23
CMOS工艺发展到深亚微米阶段，芯片的静电放电（ESD）保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构，本文提出了一种新颖
2012-03-27 16:27
倍频器上的所有信号和噪声将与期望信号发生交迭。因此，有必要将高质量的高频滤波器与开关电容二次采样拓扑结构结合使用。 图2显示了以0.7微米CMOS工艺实现的完全集成正交下变频器的方框图。该变频器采用新开
2021-07-29 07:00
0.13微米几何设计规则与0.5微米几何设计规则
2019-04-09 22:43
、1.12微米背面照明(BSI) CMOS图像传感器推出样品。 新款1.12微米的图像传感器“T4K35”整合了背面照明和彩色降噪技术，令其信噪比(SNR)与东芝现有的1.4微
2018-11-14 20:34
台湾HSINCHU - 台湾半导体制造有限公司宣称是第一家开始量产的硅芯片生产用于相机，玩具，数字电视，计算机嵌入式相机和其他系统应用的0.35微米CMOS图像传感器。
2019-08-13 10:34
CMOS-4 - CMOS-4 - NEC
2022-11-04 17:22
关键词：图像传感器 东芝公司今天宣布推出带色彩降噪(CNR)的1.12微米、1300万像素BSI CMOS图像传感器“T4K37”。从今天开始批量生产。 该产品采用业界最小级别的1.12微米像素工艺
2018-10-28 00:36
这种工艺为柯达生产的全新300万和500万像素相机提供支持，CMOS传感器均符合要求。 IBM伯灵顿厂生产的CMOS传感器基于IBM 0.18微米铜CMOS制造工艺，提
2018-11-19 17:04
