电子发烧友

A 20MHz Low Phase-Noise 0.35μm CMOS Crystal Oscillator GENG Jian-qiang, LAN Jia-long(School

2008-11-18 00:11

  在众多音频模数转换器中，Delta-Sigma是一种很流行的结构，其内部采用位A/D转换器，因此其对模拟信号处理部分的电路要求远远小于对整个电路的精度要求。在局部模块的精度

2010-02-11 13:50

在0.35 μm硅衬底CMOS工艺条件下，分析了集成平面电感器的单片DC/DC变换器的功率损耗，折中考虑了设计中的难点以及各种影响因素。优化了变换器的转换效率，确定其开关频率为100

2009-02-28 16:46

宽带低噪声互补式金氧半转阻放大器于光接收芯片之设计本计划针对光接收芯片中的转阻放大器进行分析与设计。电路的仿真，采用TSMC 2P4M CMOS 0.35μm 制程，工作电压设定为3.3V。我

2009-10-31 14:49

S波段雷达接收机前端低噪声放大器:：采用0．35 m SiGe BiCMOS工艺设计了用于s波段雷达接收机前端电路的低噪声放大器。对于现代无线接收机来说，其动态范围和灵敏度很大程度上都取

2009-11-01 14:36

数位电视广播系统(DVB-T)射频调谐器之设计本计划以台积电0.35μm SiGe 制程设计一应用于数位电视广播系统之射频调谐器。其特色是先升频至1 GHz 以上之第一中频然后才降至36 MHz 之

2010-03-19 12:37

用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS 工艺设计了一个宽带、高线性和增益可调的功率驱动放大器。放大器采用两级级联结构，第一级采用差分结构，双端输入单端输出，第二级采用单端输入单端

2009-12-14 10:36

本文给出了一种采用自偏置技术的低抖动延迟锁相环，可应用于高频时钟产生电路。分析了环路带宽和工作频率的关系，并给出了各模块具体的电路设计。在0.35μm标准CMOS工艺、3.3V

2010-08-03 15:57

片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点，电路采用SMIC0.35-m CMOS工艺设计2.4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用

2011-04-28 10:42