传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑，可以满足从
2022-10-18 11:20
Kilopass Technology，Inc。宣布其XPM技术现在可用于ASIC和SoC，使用标准逻辑CMOS 90纳米硅工艺，以及目前使用0.18，0.15和0.13微米工
2019-10-06 14:38
本文介绍了一种适用于频分复用（FDD）网络的低功耗、多频段、全集成化单芯片UMTS W-CDMA/HSDPA直接转换型收发器。它采用 0.13微米CMOS工艺制造而成。该设计包括三条零中频接收（RX
2018-11-21 09:27
据麦姆斯咨询报道，TowerJazz和TMR磁传感器技术及嵌入式MRAM（磁随机存储器）领先开发商Crocus公司，近日共同宣布双方将利用TowerJazz公司Cu BEOL（后道工序）中具有专用磁模块的0.13um CMOS
2017-10-10 11:05
KLA-Tencor光刻工艺控制解决方案将产量优化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工艺模块控制（PMC）解决方案芯片制造商实施和控制0.
2020-02-14 11:05
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工
2024-03-18 09:47
加利福尼亚州圣塔克拉拉 - 台湾联合微电子公司今天宣布已经生产出功能齐全的产品2兆位SRAM器件采用0.13微米逻辑工艺技术，具有铜互连功能。
2019-08-13 09:50
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、
2025-03-21 14:21
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
的成本相对传统的CMOS 要高很多。对于一些用途单一的LCD 和LED高压驱动芯片，它们的要求是驱动商压信号，并没有大功率的要求，所以一种基于传统 CMOS 工艺制程技术的低成本的HV-
2024-07-22 09:40
