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产品概述PW6218系列是采用CMOS工艺制造,低功耗的高压稳压器,最高输入电压可达18V, 输出电压范围3V~ 5.0V。它具有高精度的输出电压、极低的供电电流、极低的跌落电压等特点。PW6218
2023-12-12 13:36 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
### 一、AUF6218S-VB 产品简介AUF6218S-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用TO263封装,基于Trench技术制造。该MOSFET 设计用于高电压应用,能够处理高达
2025-01-02 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AUIRF6218STRL-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,封装为TO263。该MOSFET 采用先进的沟槽(Trench)技术,具有较高的漏源电压和较低的导通电阻,专为高
2025-01-03 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BUK6218-40C-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO252。采用先进的沟槽技术,这款 MOSFET 设计用于高效的开关应用,具备低导通电阻和高电流
2025-01-13 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
MA4E2054L-1261 低门槛MA4E2054L-1261 二极管是一种低势垒、n 型硅肖特基器件。它可用作频率从 VHF 到 X 波段的高性能混频器或检波器二极管。由于这些芯片具有 0.004 英寸的金焊盘和坚固的结构,因此可用于自动组装过程。&
2023-02-17 14:31 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MA4E2513L-1289低阻隔系列Tee SiMA4E2513L-1289 SURMOUNTTM 二极管是采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制造的硅低势垒肖特基器件。HMIC
2023-02-17 15:40 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MA4E2501L-1290低势垒硅单MA4E2501L-1290 SURMOUNT 二极管是采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制造的硅低势垒肖特基器件。HMIC™ 电路由形成
2023-02-17 14:59 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MCP6L01T-E/OT:高精度低功耗运算放大器的详细分析在现代电子设计中,运算放大器作为基础的模拟信号处理元件,广泛应用于各种电子设备中。MCP6L01T-E/OT是一款高精度、低功耗
2024-09-27 15:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MA4E2532L-1113医学。Barrier Si Ring QuadMA4E2532-1113 系列 SURMOUNTTM 中低势垒硅肖特基环形四极二极管采用获得专利的异石微波集成电路
2023-02-17 14:57 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号