- 350V 軸向引線電解電容器(用於音頻、吉他放大、古董收音機等)100uF - 350VHigh quality low leakage tubular
2022-07-05 13:42 华凯电容(深圳)有限公司 企业号
1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM,组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-28 14:47 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W634GU6QB是一个4G位DDR3L SDRAM,组织为33554432个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-27 15:05 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W632GU6NB是一个2G位DDR3L SDRAM,组织为16777216个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-28 11:02 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GU6NB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-27 18:25 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
如需了解价格货期等具体信息,欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言,留言会被吞,收不到留言。 HMA81GU7DJR8N-XNT0 产品概述 HMA81GU7DJR8N
2025-02-10 20:14 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用Trench技术,封装为TO2
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号