随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。
2020-09-13 09:28
稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有
2018-01-19 17:09
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
一、安全栅_结构形式，齐纳式安全栅1、电路中采用快速熔断器、限流电阻或限压二极管以对输入的电能量进行限制，从而保证输出到危险区的能量2、安装位置必须有非常可靠的接地系统，显然这样的要求是十分的苛刻
2017-08-09 14:39
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介质击穿
2018-03-27 18:21
半导体的掺杂浓度高，空间电荷区有较强电场，其类型可分为齐纳和雪崩齐纳特点：击穿电压低于4V,
2019-07-04 14:30
当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压（VBR）时，iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“反向击穿”状态。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范
2020-08-27 16:28
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。
2019-04-25 14:43
击穿是电路设计者最不想看到的现象之一，但是由于各种各样的原因，击穿总是时不时发生。本文就将为大家介绍在电路中经常出现的集中击穿现象，并简述如何对这种击穿现象进行预防。
2019-05-24 13:57
