据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复工复产后的生产线扩容。我们知道
2021-07-29 09:36
提前准备：1、在AnsoftMaxwell中绘制直线电机的二维模型；2、选择的处理器是静磁场下；2、在气隙的中间绘制一条直线，命名为gline。接下来将开始介绍如何用麦克斯韦应力张量计算切向力，其
2021-09-01 07:10
和荷兰学习交流，学他的技术，当然要付出代价，比如财富和他想要的东西，真诚相待，会成功的，还可以引进的的人才和技术，在和他学艺，联姻，总之就是把技术学到手。
2022-11-20 08:48
`一、场 学习电子学通常是从电路理论开始的，那里认为有合适的电压经过电阻、电感和电容等驱动电流在导线中流动，对这门学科来说这是自然方法，因为电路是可感知的，对大多数人都很熟知。然而学科的发展是截然相反的，对磁场和静电场的良好理解要比电路理论早—甚至在发现欧姆定律之前。后面将会看到，逻辑上电路理论应视为更一般电磁场理论的特殊情形。 有各种各样的场，它们可分为矢量场和标量场。例如重力场是矢量场，考虑房间之内的重力场，如果一个单位质量的物体放置于房间中任一个空间点，将有力施加于该物体，这是一个特别简单的力场的例子，在房间内的每一点，力场中的力实际上相等，大小相同，方向均垂直向下。这是个矢量场，要想完全定义它，必须知道在所有点的大小和方向。 力场总是矢量场。标量场可以用温度来说明，如果我们用温度计测定了室内每一点的温度，那么就确定了温度场。每一点都有个温度值，但是没有与温度相关的方向，所以温度场是标量场。 电场与磁场是矢量场。首先要考虑的静电场在某种方式上是最简单的。 实验一、电场 实验发现带有电荷的任意物体周围总是有力场。用一个自身带有少量电荷的试探粒子放在带电体附近区域，这个力场就很明显了，如图1所示。 图1 电场实验 试探粒子如果放在图1种的a点，有个力Fa作用在其上；在b和c点，对应的是力Fb和Fc。如果试探粒子上的电荷改变，试探粒子上的受力也成比例变化。根据这个实验（实验一），可得下面关于静电场的定义： 定义：在每一点的静电场的强度，大小和方向上等于相应点上施加于携带单位正电荷的很小的静止的试探粒子上所受的力。用公式标示为： F=αQE（1） 式中F是力，E是电场强度，Q是试探粒子上的电荷。注意到这个方程并不局限于任意一点，而是所有点，所以它是个场方程，而且由于它与大小和方向相关，所以也是个矢量场方程！ 式中量α只是个比例因子，具体值取决于所用的单位。合适的电荷单位和电场强度单位将会使α=1，所以有： F=QE(2) 所以如果Q的单位是静库伦，E的单位是静伏特每厘米，F的单位将是达因；如果Q的单位是库伦，E的单位是伏特，那么F的单位是牛顿。方程2是电场的定义。 定义了电场，我们可以研究它的特性了。电场在空间是如何分布的？为此，需要更多的实验，接下来将考虑三个关于试探粒子的实验。并不建议在实验室实际做这些实验，因为很难做。但是这些实验是构成理论基础的非常有用的实验，方便讨论起见，让我们接受下面已经做过的实验，将直接给出实验结果。实验二、携带少量电荷的试探粒子，在有静电场的区域移动。实验发现，当粒子沿着闭合路径移动，最终回到起始点时，粒子本身没有做总功，电场也没有对粒子做总功。 图2 实验2 如图2所示，试探粒子可能沿着图中的虚线运动，图中箭头E标示的是带电体Q的电场辐射方向，当试探粒子向箭头方向运动时，电场对粒子做功，但是在接下来的一半路径，粒子向着箭头相反方向移动，此时要反抗电场力，必然要做和前半程相等的功。所以总功为零。注意到这个结论与能量守恒原理一致。如果粒子返回起始点时还有过剩能量，它可以再次运动，然后接着运动，每次获得了一点能量，而在系统的另一部分没有相应的能量损耗，从而将使永久运动变成可能，这与能量守恒原理相冲。同样不可能的是粒子返回起始点时，能量有所减少，假设没有摩擦，这将使系统的总能量消失。实验二的结论完全与试探电荷的运动路线的形状无关，它可以是圆形、椭圆、矩形或任意其它形状。结论同样与电场的源无关！可以是辐射于一个带电体，或者是许多带电体，或者扩散于空间中的电荷。但是当试探粒子在完成整个回路过程中，产生电场的电荷不能以任何方式改变，因为这是静电实验，而且还要求试探粒子上的电荷必须足够小，以至于它的存在不会改变主要电荷的分布。 既然能量等于力和距离的乘积，总能量是沿着闭合路径中每一距离增量的各个能量的贡献之和或积分，所以有： ∮F⋅ⅆs=0（3） 由于力场和电场由一个常量因子关联，如方程2所示，所有有： ∮E⋅ⅆs=0（4） 这个表达式是线积分，s标示沿着积分路径的距离，积分符号上的小圆表示积分是沿着闭合路径进行的。这个概念在第二章中进一步解释。 `
2019-04-15 15:48
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
有人知道 为什么光刻完事 剥离那么容易脱落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
具有MEMS麦克风传感器参考设计的录音机。该参考设计演示了基于SAMG53微控制器和两个数字MEMS麦克风传感器的录音机。该设计使用户能够轻松体验立体声/单声道音频数据
2020-05-20 14:45
ofweek电子工程网讯 国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体
2017-11-14 16:24
哪些市场信息？ 晶圆代工厂不惜重金 在制造工艺演进到10nm之后，晶圆厂都在为摩尔定律的继续前进而做各种各样的努力，EUV则是被看作的第一个倚仗。而从EUV光刻机ASML的财务数据我们可以看到，其
2020-02-27 10:42
