场效应管和IGBT的驱动经常听到米勒效应这个词，查阅了一些资料是栅极和漏极之间的等效电容，这个等效电容在场效应管或者IGBT开通的时候在某一阶段会放大较多倍，进而导致驱动电路需要提供的电压电流增多
2024-01-11 16:47
【不懂就问】看到TI的一个三相逆变器设计资料中，关于有源米勒钳位的设计这是一段原话“开关IGBT过程中，位移电流流经IGBT的GE极电容，使其栅极电压上升，可能让器件误导通原因是，当逆变器的上管导
2017-12-21 09:01
米勒平台形成的基本原理米勒平台形成的详细过程
2021-03-18 06:52
《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSFET时采用米勒钳位功能
2025-01-04 12:30
水冷三通阀220VAC，额定0.4A，用的是魏德米勒220VAC，5A的小型继电器，西门子CPU控制的交流脉冲信号控制三通阀开闭，一天可动作百次，继电器辅助触点打火碳化，需要频繁更换，欲改成固态继电器，请问有什么型号
2021-03-20 10:10
米勒效应的影响：MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当
2025-03-25 13:37
，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时
2021-01-27 15:15
开始上升，此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时ld已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOS管进入电阻区，此时
2018-12-19 13:55
上一节讲了MOS管的等效模型，引出了米勒振荡，可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围
2018-11-20 16:00
现场多台用电设备共用24V电源，24V电源由统一由一台魏德米勒模块提供，该模块直流侧设置总空开，其它用电设备下设分空开，下端分接的设备故障出现电源正负短路时，分接空开不会动作，总空开也未动作，但电源
2019-05-15 22:13
