。### 详细的参数说明- **型号**:40N01-VB- **封装**:DFN8(5X6)- **配置**:单N沟道- **击穿电压 (VDS)**:40V- **
2024-11-07 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介52N25M5-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 DFN8(5X6) 封装,具有高电压承受能力和低导通电阻,适合需要高效能和紧凑空间的功率管理应用。### 详细参数
2024-11-14 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
需要高效能和高功率密度的应用场合。### 8NH3L-VB 详细参数说明- **封装类型 (Package)**: DFN8(3X3)- **
2024-11-22 17:13 微碧半导体VBsemi 企业号
阻和高电流处理能力,适用于需要高效能转换和功率管理的电路设计。### 二、8A05H-VB 详细参数说明- **封装类型**:DFN8(3X3)- **
2024-11-22 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
适用于需要高性能和低导通电阻的应用场合。### 5877NL-VB 详细参数说明- **封装形式**: QFN8(5X6)-B- **配置**: 双 N+N 沟道-
2024-11-14 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
; 产品细节部分编号T8-1T-X65+制造商微型电路描述RF变压器,插入式,配置A,不平衡到平衡的中心点,0.01-350兆赫
2023-08-21 14:11 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
。 产品细节部分编号T8-1-X65+制造商微型电路描述RF变压器,插件,配置D,不平衡到不平衡,0.050-800兆赫一般参
2023-08-21 09:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Mini Circuits 的 TC8-1X+ 是一款巴伦,频率为 2 至 500 MHz,插入损耗为 0.82 至 1.51 dB,电流为 30 mA,功率为 0.25 W,回波损耗为
2023-08-24 10:11 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号