Marki Microwave 的 T3H-18 是一款双音终端混频器,RF/LO 频率为 10 MHz 至 18 GHz,中频频率为 10 MHz
2023-05-24 12:48 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
Marki Microwave 的 T3-18 是一款射频混频器,射频频率为 10 至 18000 MHz,本振频率为 10 至 18000 MHz
2023-05-26 16:10 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
Marki Microwave 的 T3-18G 是一款射频混频器,射频频率为 10 MHz 至 18 GHz,本振频率为 10 MHz 至 18 GHz,中频
2023-05-22 17:31 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
探索科研新境界,MINI品牌MSP2T-18XL+引领未来 MSP2T-18XL+的具体参数如下:品牌:MINI型号:MSP2T-18XL+封装:SMD批号:2219+数量
2024-01-31 11:15 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
VBsemi的MOSFET产品18N60L-T47-T-VB是一款单通道N沟道器件,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3.5V的阈值电压(Vth)。该
2024-07-08 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
罗德与施瓦茨R&S NRP18T功率探头 主要特点动态范围:–35 dBm 至 +20 dBm频率范围:DC 至 170 GHz通过 USB 
2024-12-11 09:57 深圳仪信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介18T10GH-VB是一款单路N沟道场效应管(MOSFET),采用槽沟道技术,具有高达100V的漏极-源极电压(VDS)和15A的漏极电流(ID)能力。该器件采用TO252封装
2024-07-08 16:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的18T10GI-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有100V的漏极-源极电压(VDS)和20V的门极-源极电压(VGS)。该器件采用Trench技术制造
2024-07-08 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP18T10GH-HF-VB 产品简介AP18T10GH-HF-VB是一款单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术制造,适用于中压和中电流应用。其封装为TO252,结构紧凑且有
2024-12-17 10:42 微碧半导体VBsemi 企业号