耦合, 旁路, 濾波, 調諧鋁電解電容器-高頻低ESR阻抗SNAP-IN 10.000UF 50V 105° 30x45mm100% 全新優質特徵: 由優質材料製成,
2022-05-14 18:26 华凯电容(深圳)有限公司 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中,具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽(Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4809NG-VB MOSFET产品简介4809NG-VB是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO252封装。它具有低导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征,适用于
2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5802NG-VB 产品简介5802NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5407NG-VB 产品简介5407NG-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有较低的漏极-源极电压(40V)和高电流处理能力
2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
GD長壽命高频低阻电解电容器LRH(HT)470UF160V 16X25LRH(HT)470UF160VLRH series 高頻率低阻抗品 1. 高
2022-07-05 17:18 华凯电容(深圳)有限公司 企业号