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型号：HMC<b class='flag-s-7'>662</b>LP3E 品牌：

计。该器件的快速响应和出色的增益特性使其在现代通信系统中发挥着重要作用，尤其是在需要高灵敏度和高线性度的应用场合。产品技术资料HMC662LP3E的主要技术参数如下

2024-10-15 12:50 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：HMC<b class='flag-s-7'>662</b>LP3E 品牌：

​HMC662LP3E对数检波器可将输入端的RF信号转换为输出端的成比例直流电压。 HMC662LP3E采用连续压缩拓扑结构，在宽输入频率范围内具有高动态范围。 随着输入功率增加，连续放大器逐渐

2022-11-17 14:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>662</b>K 品牌：泛海微

（ 25uA Typ. ），最高输入电压6.0Ｖ,662K是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的 CMOS&nb

2024-07-06 18:09 泛海微电子 企业号

型号：124133-HMC<b class='flag-s-7'>662</b>LP3E 产品概述 品牌：

124133-HMC662LP3E 产品概述124133-HMC662LP3E 是由模拟设备公司（Analog Devices, Inc.）推出的一款高性能射频放大器，专为各种射频应用设计。该产品

2025-02-15 16:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：2SJ<b class='flag-s-7'>662</b>-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ662-VB产品简介VBsemi的2SJ662-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造。该器件封装在TO-263封装中，具备极低的导通电阻和高电流

2024-07-16 11:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HMC<b class='flag-s-7'>662</b>LP3E 品牌：ADI

HMC662LP3E对数检波器可将输入端的RF信号转换为输出端的成比例直流电压。 HMC662LP3E采用连续压缩拓扑结构，在宽输入频率范围内具有高动态范围。 随着输入功率增加，连续放大器逐渐

2025-02-13 11:51 深圳芯领航科技有限公司 企业号

型号：BUK<b class='flag-s-7'>662</b>R7-55C-VB 品牌：微碧

型号: BUK662R7-55C-VB丝印: VBL1603品牌: VBsemi参数:- 封装类型: TO263- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 60V- 最大电流: 210A- 开

2024-02-20 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BUK<b class='flag-s-7'>662</b>R7-55C-VB 品牌：微碧

型号: BUK662R7-55C-VB丝印: VBL1603品牌: VBsemi参数:- 封装类型: TO263- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 60V- 最大电流: 210A- 开

2023-12-28 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QPM1021：<b class='flag-s-7'>高</b>功率GaN放大器模块 品牌：

QPM1021：高功率GaN放大器模块的理想选择在现代雷达和电子战（EW）系统中，高功率、高效率的放大器模块是实现信号传输和处理的关键。QPM1021作为一款10-12 GHz频段的100瓦特氮化镓

2024-11-11 20:59 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：QPD1006：<b class='flag-s-7'>高</b>功率50V GaN 品牌：

QPD1006：高功率50V GaN RF IMFET的理想选择在现代无线通信和雷达系统中，功率放大器的性能直接影响到系统的效率和可靠性。QPD1006作为一款450 W、50 V的GaN（氮化镓

2024-11-11 19:09 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号