### 产品简介8NM60ND-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,具有高耐压和稳定的性能特征,适合于多种高功率应用。### 详细参数
2024-11-22 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介8NM50N-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO251封装,具有高耐压特性和稳定的电气性能,适用于各种中高压应用场合。### 详细参数
2024-11-22 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8NM60ND-VB 产品简介8NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,适合高压功率开关和电源管理应用。它具有650V的漏源极电压承受能力和优良的导
2024-11-22 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
IPB0401NM5SOptiMOS公司™ 3功率晶体管特征•用于开关电源的快速开关MOSFET•直流/直流转换器的优化技术•符合JEDEC 1)的目标应用要求•N通道,正常
2022-08-03 15:00 深圳市金和信科技有限公司 企业号
### 一、8NM50N-VB型号的产品简介详细8NM50N-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术制造,封装为TO220F。它具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),适合
2024-11-22 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号