参数表节选:的技术参数 NJ5-11-N-G-5M通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离5 mm安装非齐平确保操作距离0 ... 4,05 mm衰减系数 rAl0
2022-09-07 13:19 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 产品简介B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。采用 Trench 技术,具备低导通电阻和大电流处理能力,特别适用于高电压开关和功率控制
2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计,具有低导通电阻和高
2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 NJ5-11-N-G-5M-Y322216通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离5 mm安装非齐平确保操作距离0 ... 4,05 mm
2022-11-03 13:32 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
BLS7G3135L-350P,11:高效LDMOS射频功率晶体管,优化高频功率放大应用随着射频通信和工业应用的不断发展,对高功率、高效率射频器件的需求日益增加。BLS7G
2024-10-09 10:55 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
参数表节选:的技术参数 NJ5-11-N-G-6M通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离5 mm安装非齐平确保操作距离0 ... 4,05 mm衰减系数 rAl0
2022-08-25 13:34 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 11NM65N-VB TO252 产品简介**产品概述**:11NM65N-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有低导通电阻和高电压承受能力
2024-07-05 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压
2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号