采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58
在智能BMS应用中，客户往往面临比较多的痛点，其一是低边MOSFET作开关时会将GND分开，做不到连续性；其二是在使用高边MOS
2024-03-07 22:01
本帖最后由 daxinba 于 2021-11-24 22:14 编辑 我设计了一个测试电路，其中有一个用来驱动MOS开关的芯片UCC21530（用于高边驱动），两路输出都用来作高
2021-11-16 15:50
低边和高边电流监测器的架构和应用是什么
2021-03-11 07:39
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
内置高压MOSFET的原边控制开关电源SD4851介绍
2021-04-02 06:39
求一款低边MOSFET驱动,输入电压12V,电流1A以上，且一颗芯片驱动两个MOSFET?
2020-03-18 09:31
本文介绍利用电流检测放大器、差分放大器和仪表放大器测量智能手机、平板电脑、笔记本计算机及 USB 附件中的电池充电和放电电流。通过对高边电流检测放大器与低边差分放大器进行了比较，并给出了检流电
2020-09-23 09:37
求助，路过的大神帮忙看看这个电路上的6引脚芯片是什么？想找个NOS高边驱动电路。
2023-03-06 22:02
。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25
