由Precision resistance翻译而来，简称。普通电阻器区别高精密电阻器的主要依据为阻值误差大小，阻值大小，温度系数的大小。
2019-10-14 09:03
LM399H高精密6.99999V稳压芯片怎么用？求连接图和原理图。
2016-04-28 09:08
本文通过一个实际的例子演示了如何使用高精密ADC评估放大器的噪声性能，实验结果与仿真结果一致，并且提供了典型的matlab函数，利用STDEV, 直方图，FFT对ADC采集后的数据，对放大器进行噪声分析是一种直观且有效的方式。
2020-12-31 07:43
要设计一个高精密零漂移（含温漂）积分电路，涉及对nA级别至百mA级别电流的积分运算，选择运放是追求低零偏电流还是超低偏置电压，为什么？AD公司是否有相关推荐的运放选择？另外设计精密积分电路应考虑哪些因素?
2023-11-17 07:28
对1Ω（欧姆）以上阻值的电阻，与标识阻值相比±0.5%以内阻值误差的电阻可称为JEPSUN精密电阻，更高精密的可以做到0.01%精度，也就是电子工程师所说的万分之一精度，此类电阻一般为薄膜电阻，使用此材质的电阻一般才能满足生产工艺要求。
2019-09-17 09:11
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
当今的一些高精密模拟系统需要低噪声正负电压轨来为精密模拟电路供电，这些电路包括模数转换器 (ADC)、数模转换器 (DAC)、双极放大器等等。如何产生清洁、稳定的正负电压轨为噪声敏感型模拟组件供电是摆在我们面前的一个设计挑战。
2019-08-13 06:03
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
.香港卡尔思是一家大批量生产高精密度印制电路板厂商，专业MTK手机主板抄板/生产，HDI手机板抄板/做板，抄/生产DVB机顶盒板，3G无限网卡抄板/生产，100%一次成功严格执行ISO9002
2011-05-31 14:53
