IPS5451是美国国家半导体公司生产的一款高压侧功率MOSFET开关，它为单列5脚封装，工作电压50V，电流35A，Rds(on) 25m欧姆。
2021-04-23 07:32
极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 功率MOSFET的结构和工作原理 功率
2023-02-27 11:52
如何实现高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计？
2021-10-12 11:44
内置高压MOSFET的原边控制开关电源SD4851介绍
2021-04-02 06:39
采用的是超级结工艺。超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的，用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度，基于该技术的功率
2026-01-05 06:12
` 本帖最后由 meiyatechdptel 于 2011-11-16 17:16 编辑 超低内阻高压MOSFET陈章深圳市美亞科技有限公司ShenZhen Meiya Techology
2011-11-16 17:02
情况下，系统必须独立控制哪些负载开启，何时开启，以什么速度开启。利用分立MOSFET电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立MOSFE
2022-11-17 08:05
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2021-10-28 06:56
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MOSFET容易受到干扰误导通，而跨导和工艺
2017-03-06 15:19
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想
2018-08-02 08:55
