高压MOSFET管通过栅极与源极之间的电场控制漏极与源极之间的电流，实现高效功率开关功能。
2025-03-24 14:12
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区
2021-05-02 11:41
L6390是采用BCD“离线”技术制造的高压设备。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。
2021-03-12 10:05
以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和综合成本层面已得到产业界的认可。基于大量的设计优化和可靠性验证工作，瑞能
2022-02-18 16:44
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，是一家在市场上拥有良好业绩记录的SiC器件制造商。本篇带你了解三菱电机高压SiC芯片技术。
2024-12-18 17:35
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内。
2023-12-13 11:40
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09
高压启动是电源芯片在工作中启动的一种方式，通常是在电源芯片启动时加入一个高压信号，使其能够快速地进入正常工作状态。45W电源芯片
2024-12-12 09:18
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
