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常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的

2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号

内部集成了 650V 高压 MOSFET，高压启动电路，⽀持 CCM 和 DCM 工作模式。重载下芯片工作于 65kHz 固定开关频率，中等负载时由 FB 反馈电

2025-02-27 15:07 腾震粤电子 企业号

AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器

2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

CX806集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。 内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了

2022-12-08 19:41 深圳上大科技 企业号

目前，传统的直流充电桩拓扑电路，一般是三相交流380V输入电压经过PFC维也纳AC/DC电路后，得到直流母线电压，然后经过两路全桥LLC DC/DC电路，输出200V到1000V高压给新能源汽车充电

2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

一、概述PN6795D开关电源芯片方案集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D开关电源芯片方案为

2024-12-12 09:23 东莞市中铭电子 企业号

高压柜无源无线测温系统由设备层的无源无线温度传感器和温度显示单元，通讯层的边缘计算网关以及站控层的无线测温系统主机组成，实现高压柜关键电气部位的温度在线监测。高压柜无源无线测温系统 

2023-09-26 10:20 力安科技 企业号

外置 N-MOSFET 的 LED 驱动 IC。 由于 FP7195 采用高压端点电流侦测，而且 IC 补偿回路采用电流模式，具有优异的动态响应又能简化外部补偿回路

2022-07-12 18:06 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号

！ CR5244芯片特性：■ CR5244是采用内置600V高压功率MOSFET，反激式PWM功率开关；■ 内置软启动，减小MOSFET的应力，内置斜坡补偿

2021-11-01 14:59 深圳市骊微电子科技 企业号