高压MOSFET管通过栅极与源极之间的电场控制漏极与源极之间的电流，实现高效功率开关功能。
2025-03-24 14:12
在于高压MOSFET的成本较高以及传统的PWM控制环路的动态范围的限制。StackFET技术允许组合使用不太昂贵的、额定电压为600V的低压MOSFET和Power Integrations提供的集成电源控制器，这样
2013-04-01 10:34
本设计采用TNY279 电源芯片作为开关电源的控制芯片，TNY279 电源芯片在一个器件上集成了一个700V 高压MOSFET 开关和一个电源控制器，与普通的PWM 控制器不同，它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。
2019-09-17 16:15
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区
2021-05-02 11:41
本应用笔记介绍了新的1600 V BIMOSFET晶体管，该晶体管已被新应用取代。它介绍了BIMOSFET的许多应用及其直流电性能。如今，有许多使用高压MOSFET和IGBT的应用，这些应用将受益于
2021-05-20 17:24
补偿变得复杂，且会降低可靠性。此外，在启动过程中，需要采用泄放电阻或高压启动电路来初始启动IC。除非在启动组件中额外添加一个高压MOSFET，否则泄放电阻将消耗大量电源。
2022-01-01 14:29
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
L6390是采用BCD“离线”技术制造的高压设备。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。
2021-03-12 10:05
