高压MOSFET管通过栅极与源极之间的电场控制漏极与源极之间的电流，实现高效功率开关功能。
2025-03-24 14:12
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P型体区
2021-05-02 11:41
CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
L6390是采用BCD“离线”技术制造的高压设备。它是用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。
2021-03-12 10:05
高压电的定义是，是指配电线路交流电压在1000V以上或直流电压在1500V以上的电接户线。交流低压在1000V以下或直流电压在1500V以下为低压电。在其中呢不得不说到高压电对人体的危害在那些地方
2019-01-04 15:01
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路（HVIC）是专为半桥开关
2024-11-11 17:21
MOSFET的并联使用
2023-12-19 09:40
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SI
2015-06-12 09:51
