采用新技术，例如D3半导体正在实施的技术。新方法在开发新的+FET产品线时，D3半导体选择了一种非传统的技术方法，将集成应用于高压
2023-02-27 10:02
的方向，充分并迅速地了解供应商提供的仿真模型是否真实反映既定应用空间内的器件仍然是棘手的问题。 与竞争对手的模型不同，Fairchild的超级结MOSFET和IGBTSPICE模型基于一个物理可扩展模型
2019-07-19 07:40
运放正负12伏供电，运放输出端连接mosfet的G极。mosfet的D连接500v直流高压，mosfet的S极连接一个20欧姆电阻到地，20欧姆电阻连接运放反馈端，我想
2018-08-02 08:55
碳化硅（SiC） MOSFET、超级结MOSFET、IGBT和汽车功率模块（APM）等广泛的产品阵容乃至完整的系统方案，以专知和经验支持设计人员优化性能，加快开发周期。本文将主要介绍针对主流功率等级的高能效OBC方案
2020-11-23 11:10
如何实现高压MOSFET控制器简化非隔离开关的设计？
2021-10-12 11:44
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关
2021-03-11 07:53
关于汽车电子功率MOSFET技术，总结的太棒了
2021-05-14 06:13
近年来，在军用天线等应用领域，国外超材料技术取得了突破性进展。例如，英国BAE系统公司和伦敦玛丽女王学院研制出一种新型超材料平面天线，利用超材料平面汇聚电磁波的特性，替
2019-07-29 06:21
供电，其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化，包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路中实现浪涌保护，如图5所示。MOSFET 以源极跟随器配置连接
2023-02-21 15:46
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43
