维安高压超结MOSFET，轻松解决LED电源浪涌
2022-12-30 17:07
超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响:对超结理论的产
2009-12-13 19:57
WAYON维安高压超结MOSFET，轻松解决LED电源浪涌
2023-01-06 13:04
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET
2019-06-26 20:37
摘 要： 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了超
2008-11-14 15:32
采用新技术，例如D3半导体正在实施的技术。新方法在开发新的+FET产品线时，D3半导体选择了一种非传统的技术方法，将集成应用于高压
2023-02-27 10:02
：介于平面和超结型结构中间的类型超级结结构是高压MOSFET技术的重大发展并具有显著优点，其RDS(on)、栅极容值和输
2018-10-17 16:43
超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的
2025-05-06 15:05
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOS
2018-11-20 10:52
