怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC
2023-12-21 11:15
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52
本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。
2025-03-26 16:52
在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的
2025-05-30 14:33
如今，由于对大电流和高功率应用的需求不断增加，单一的MOSFET已经无法满足整个系统的电流要求。在这种情况下，需要多个MOSFET并联工作，以提供更高的电流和功率，这有助于减少导通损耗，降低工作温度
2024-11-27 15:32
自适应高动态范围流媒体
2022-12-29 10:02
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2023-02-10 09:41
①静态dV/dt：会引起MOSFET栅极电压变化，导致错误开通。在栅源间并联电阻，可防止误开通。
2023-07-14 14:39
栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量，有时也称为总栅极电荷。总栅极电荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd 表示栅极-漏极的电荷量，也称米勒电荷量。
2023-05-29 17:02
