异的高温和高频性能。 案例简介：SiC MOSFET 的动态测试可用于获取器件的开关速度、开关损耗等关键动态参数，从而帮助工程师优化芯片设计和封装。然而，由于 SiC MOSF
2025-04-08 16:00
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2018-12-03 14:27
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终
2022-11-16 08:00
不同的等式。有效电容值代表的是相同充电时间或充电能量(可高至给定电压)条件下的结果。这些值考虑到电容变化，而无需使用复杂的公式或像公式1所要求的积分。图1：根据公式1计算的平面型MOSFET输出电容图2：根据
2014-10-08 12:00
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34
。 ADP2386是一款同步降压DC-DC稳压器，集成44 mohm高侧功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET，采用紧凑的4 mm×4 mm LFCSP封装，提供高效率解决方案
2019-08-12 07:38
可以减小内部源极布线的电感，从而允许MOSFET实现高开关频率。TO263-7L采用7引脚封装，采用开尔文连接，适合表面安装。TO268-2L采用双引脚封装，中间没有引脚，以确保最佳的爬电距离。碳化硅
2019-07-30 15:15
Python进行高动态图像合成
2020-03-06 17:18
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58
) MOSFET功率模块的极低电感封装 这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列 而开发，经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高
2018-10-23 16:22
