怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC
2023-12-21 11:15
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇，主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52
具有动态温度补偿的修正 MOSFET 模型
2022-11-15 20:07
本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。
2025-03-26 16:52
高单元密度 MOSFET
2022-11-15 19:19
在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC MOSFET模块并联应用中的
2025-05-30 14:33
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结
2018-12-03 14:27
异的高温和高频性能。 案例简介：SiC MOSFET 的动态测试可用于获取器件的开关速度、开关损耗等关键动态参数，从而帮助工程师优化芯片设计和封装。然而，由于 SiC MOSF
2025-04-08 16:00
如今，由于对大电流和高功率应用的需求不断增加，单一的MOSFET已经无法满足整个系统的电流要求。在这种情况下，需要多个MOSFET并联工作，以提供更高的电流和功率，这有助于减少导通损耗，降低工作温度
2024-11-27 15:32
不同的等式。有效电容值代表的是相同充电时间或充电能量(可高至给定电压)条件下的结果。这些值考虑到电容变化，而无需使用复杂的公式或像公式1所要求的积分。图1：根据公式1计算的平面型MOSFET输出电容图2：根据
2014-10-08 12:00
