小于5ns； · 选用低传输延时，上升下降时间短的推挽芯片。 总之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时，对于驱动器也提出了
2023-02-27 16:03
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工
2023-02-27 11:55
LLC和移相电路的应用由于碳化硅MOSFET的高阻断电压（一般高于1000V）,快速开关及低损耗等特点,高压输入隔离DC/DC变换
2016-08-25 14:39
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，
2021-03-27 19:40
、高功率密度的方向前进。5 结论本文分析和探讨了碳化硅器件封装中的 3 个关键技术问题：1）整理归纳了低杂散电感参数的新型封装结构，从设计原理上概括了其基本思路并列举了
2023-02-22 16:06
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显
2023-02-20 16:29
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅
2025-01-04 12:37
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC
2020-04-21 16:04
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V
2020-09-24 16:23
电源和高压直流工业电源等三相隔离变换器中（图3）。本图比较了15KW市面上量产硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFETR的20KW方案的尺寸和拓扑，从结果上看，该
2016-08-05 14:32
