逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相
2018-10-08 08:00
小于5ns； · 选用低传输延时，上升下降时间短的推挽芯片。 总之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时，对于驱动器也提出了
2023-02-27 16:03
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工
2023-02-27 11:55
点击 “东芝半导体”，马上加入我们哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿电场和高功率密度
2023-10-17 23:10
的三相碳化硅（SiC）功率堆栈。该功率堆栈结合了 CISSOID的1200VSiC智能功率模块和Advanced Co
2023-02-21 09:12
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，
2021-03-27 19:40
、高功率密度的方向前进。5 结论本文分析和探讨了碳化硅器件封装中的 3 个关键技术问题：1）整理归纳了低杂散电感参数的新型封装结构，从设计原理上概括了其基本思路并列举了
2023-02-22 16:06
LLC和移相电路的应用由于碳化硅MOSFET的高阻断电压（一般高于1000V）,快速开关及低损耗等特点,高压输入隔离DC/DC变换
2016-08-25 14:39
、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强
2019-10-24 14:21
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显
2023-02-20 16:29
