摘要t传统的栅介质材料Si02不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求，因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究，进展迅速．本文综述了国内外对高
2010-11-11 15:46
的手机多频段单极天线多为带宽不能满足设计需要而烦恼，本文介绍的手机天线采用新型高介电常数材料作为天线支架，达到天线体积的缩小的目的，并且设计出新颖的双G 型天线模型使天线可以覆盖的通讯频段达到
2019-06-12 08:21
Vishay公司宣布其面向稳压器模块(VRM)和直流到直流转换器应用的高性能、低功耗小型电感器解决方案产品线新近增加了超薄高电流电感器系列——IHLM-2525CZ-01。
2010-01-21 14:28
由于聚合物较差的链段移动能力，因此锂离子在其内部的传输会受到阻碍。虽然ILs可以增强聚合物链段的移动，但它内部的阳离子与自身阴离子配位度低，这部分阳离子会与聚合物中的电负性原子配位
2023-04-11 11:50
工艺技术节点进入亚3 nm以后，垂直鳍片沟道架构的新器件开发仍备受关注，人们正在考虑制造基于垂直鳍式结构开发垂直围栅器件（VGAA）或垂直传输场效应晶体管（VTFET），以满足“后摩尔时代”芯片的更高集成度、高性能和低功耗发展要求，世界著名集成电路制造龙头公司IBM和三星已进行相关研发。
2023-03-27 11:25
其中，在联电的部分，因为过去高介电层／金属闸极（HK）制程良率高的关系，普遍受到客户的青睐，就连南韩三星的手机影像处理器
2021-04-26 09:36
赛灵思推出的三款全新产品系列不仅发挥了台积电28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗 (HPL) 工艺技术前所未有的功耗、性能和容量优势，而且还充分利用 F
2012-01-17 15:36
本白皮书介绍了有关赛灵思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的几个方面，其中包括台积电 28nm高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28
2012-03-07 14:43
赛灵思选用 28nm 高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低 功耗技术，并将该技术与新型一体化 ASMBLTM 架构相结合，从而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。这些器件实现了前所未有的
2012-01-17 15:44
对介电分析法在研究环氧树脂固化、环氧树脂辐射老化、聚乙烯交联 漆包线固亿度的检测和智能型漆包线固化度检测仪的研制中的应用作了概括性的介绍．关键词介电分析；
2009-06-29 14:10
