骁龙865相当于麒麟990，在游戏表现方面，骁龙865更强，但是在日常体验方面，麒麟990更胜一筹。我的
2021-07-01 13:23
麒麟970相当于什么处理器
2021-07-28 06:04
纳米工艺制造与Zen 2相比，新的Zen 3架构提供了更高的IPC。AMD锐龙R7 5800H怎么样？相当...
2021-07-29 06:16
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-06 17:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自电子发烧友网
2012-07-09 17:37
i5-10210U采用14nm工艺，4核心8线程，频率1.6-4.2GHz，6MB三级缓存，采用UHD核显（24 EU），TDP 15W，内存频率由DDR4-2666。i5 10210u怎么样这些点
2021-07-23 09:50
芯片的技术参考资料：并不是每个型号的都齐全，但这里的资料已经不少了。 MSM8940处理器概述骁龙435采用的是28nm工艺制程，配备了八个Cortex-A53处理核心
2018-09-06 20:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧转载自http://cxtke.com/
2012-07-05 10:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:05 编辑 普通三极管，是电流型放大元件，基极有电流，集电极就有放大HFE倍的电流，导通时，基极对发射极有0.7V压降，有NPN\PNP，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型，还有结型等之分，导通后，源极漏极之间呈电阻态，用最小导通电阻的参数。对于N沟道增强型，一般只要栅极加到4V（导通电压），就开始导通，随栅极电压的增高，导通电阻越小。一般最小可到几欧到0.0几欧
2012-07-05 12:14
续航方面拥有明显优势，可轻松超过一天。此外，数据连接、分体式设计等方面也是高通得天独厚的优势，这方面的表现会明显强于Intel。在接受外媒采访时，高通公布了更多骁龙835 Win10电脑的特性，比如在播
2017-10-20 15:01
