本文介绍了一个新的1700V 25A至300A快速恢复二极管（FRD）系列。实验结果与数值模拟结果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亚胺钝化法的横向掺杂变化（VLD）可以实现稳定的1700V
2023-02-27 09:32
逆变器的IGBT在短路时，短路尖峰电压较高有可能会击穿IGBT，1200V的管子尖峰电压可能超过400V，1700V的管
2024-04-10 18:35
IGBT驱动原理及电路图
2019-11-11 05:16
二极管最大耐电压为1700V，输出平均电压为890V，输出平均电流为50A；滤波电容 8800uF/400V;IGBT的额定电压为1200
2014-12-18 12:00
器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。 IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOS
2023-02-24 15:29
下图为MDD品牌1700V/450A的IGBT模块具体测试波形。在关断下管IGBT瞬间，观测上管整流二极管的电流及电压。可以看到，在极管开的时刻二极管开通的时刻，二极管的阳极的电位比阴极要高，峰值大约150
2021-04-14 15:07
时钟设备设计使用 I2C 可编程小数锁相环 (PLL)，可满足高性能时序需求，这样可以产生零 PPM（百万分之一）合成误差的频率。高性能时钟 IC 具有多个时钟输出，用于驱动
2019-08-12 06:50
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算
2019-08-13 08:04
本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证
2021-03-04 08:44
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35
