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驱动１７００ＶＩＧＢＴ的几种高性能ＩＣ选型设计

2012-04-07 22:12

电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线

2022-05-10 10:06

本文介绍了一个新的1700V 25A至300A快速恢复二极管（FRD）系列。实验结果与数值模拟结果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亚胺钝化法的横向掺杂变化（VLD）可以实现稳定的1700V

2023-02-27 09:32

逆变器的IGBT在短路时，短路尖峰电压较高有可能会击穿IGBT，1200V的管子尖峰电压可能超过400V，1700V的管

2024-04-10 18:35

器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。　　IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOS

2023-02-24 15:29

几种IGBT短路保护电路图7是利用IGBT过流时Vce增大的原理进行保护的电路，用于专用驱动器EXB841。EXB841内部电路能很好地完成降栅及软关断，并具有内部延迟

2009-01-21 13:06

噪音或雷击等原因导致系统的可靠性无法得到保证。这正是新品的最大功能所在，适用于大型太阳能发电、风力发电，工业用逆变器等工业设备。　　新品具有双通道并能驱动1700V/1200A 等级 IGBT 的

2013-08-30 08:32

时钟设备设计使用 I2C 可编程小数锁相环 (PLL)，可满足高性能时序需求，这样可以产生零 PPM（百万分之一）合成误差的频率。高性能时钟 IC 具有多个时钟输出，用于驱动

2019-08-12 06:50