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型号：HMC<b class='flag-s-7'>855</b>LC5 品牌：

HMC855LC5是一款1:4解复用器，设计用于高达28 Gbps数据解串应用。 该器件使用半速率时钟的上升沿和下降沿来采样输入数据序列D0-D3，并将数据锁存至差分输出。 片上生成1/4速率时钟

2023-07-11 09:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号： 36-12-141-<b class='flag-s-7'>7NM</b>是一<b class='flag-s-7'>款</b>高频RF电缆组件 品牌：

36-12-141-7NM是一款高频RF电缆组件，专为要求高性能的应用而设计，确保信号的稳定传输。技术资料频率范围：DC至7 GHz插入损耗：低于0.4 dB回波损耗：大于19

2024-10-17 10:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：FZT<b class='flag-s-7'>855</b>Q 品牌：

FZT855Q 产品简介DIODES 的FZT855Q这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的严格要求。产品规格  品牌      

2023-10-18 19:12 立年电子科技 企业号

型号：HMC<b class='flag-s-7'>855</b>LC5 品牌：ADI

HMC855LC5是一款1:4解复用器，设计用于高达28 Gbps数据解串应用。 该器件使用半速率时钟的上升沿和下降沿来采样输入数据序列D0-D3，并将数据锁存至差分输出。 片上生成1/4速率时钟

2025-02-10 15:42 深圳芯领航科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO252 品牌：微碧

### 7NM60N-VB MOSFET 产品简介7NM60N-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异

2024-11-21 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>64N-VB 品牌：微碧

### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于中高压应用场合。其封装

2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FDC<b class='flag-s-7'>855</b>N-VB 品牌：微碧

以下是FDC855N-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明：### 产品简介：FDC855N-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，封装为SOT23-6。具有30V的工作

2024-05-31 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、7NM60N-VB 产品简介7NM60N-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它设计用于高压应用环境，具有稳定的电气特性和可靠性

2024-11-21 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO251 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 7NM60N-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO251封装，适用于高压和高性能的电源管理和开关电路应用。具有650V的最大漏源电压和低导通电阻特性，适合

2024-11-21 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号