从电压上描述是：三极管发射结正向偏置，集电结零偏置或正向偏置；Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：Ib * β 》 Ic ≈ Vcc / Rc，电源电压除以集电极电阻.
2017-11-29 12:28
三极管有截止区、放大区和饱和导通三个工作区。把三极管控制在截止区和饱和导通区就可以实现通断控制了。
2019-10-13 14:18
使用二级管,导通时会有压降,会损失一些电压。而使用MOS管做隔离，在正向导通时，在控制极加合适的电压，可以让MOS管饱和导通，这样通过电流时几乎不产生压降。
2024-04-08 14:41
使用三极管做开关使用，要么饱和导通，要么截止，我们期望饱和导通时集电极电流不能超过最大值限制，这个很容易达到，因为现在的三极管饱
2023-10-23 16:44
接在c极，使用PNP三极管，这样当三极管饱和导通时Vce的压降最小，电流输出大，管子发热少。电阻的算法是R ＝ （Vcc - Ube）/Ibe， 饱和导通时Ibe 》
2017-11-30 16:19
故障分析、检修过程、结果评述：故障出现时，触D1640发现其温度过热，判定自动关机，因D1640饱和导
2006-04-17 22:34
功率开关管是指能承受较大电流，漏电流较小，在一定条件下有较好饱和导通及截止特性的三极管，可不太考虑其放大性能
2023-02-13 17:01
在电子学中，饱和管压降（saturation voltage drop）和导通电压（turn-on voltage）是两个重要的概念，它们描述了半导体器件，特别是晶体管和二极管在特定工作状态下的电压
2024-09-19 14:47
ＳＣＲ２、ＳＣＲ３、ＳＣＲ４依次导通，从而触发可控硅ＳＣＲ５、ＳＣＲ６、ＳＣＲ７依次导通，ＶＴ１饱和导通，电磁铁ＤＬ动作，实现开锁。与此同时，ＡＮ７键按下后ＳＣＲ４
2018-09-20 18:59
阶段6(t6—t7)：在t6时刻，VCE下降到使IGBT进入饱和状态，栅极反射极电压增加以维持IL，当VCE衰减稳定后，稳定值即为饱和导通压降VCE(sat)，到此开通过程完全结束。
2023-07-12 11:37
