（On-State Voltage Drop） 导通压降是指IGBT在导通状态下，从集电极到发射极之间的电压。这个电压通常很低，但并不是零，因为它包括了IGBT内部的电
2024-09-19 14:46
什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT
2024-02-19 14:33
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在
2024-09-19 14:51
在电子学中，饱和管压降（saturation voltage drop）和导通电压（turn-on voltage）是两个重要的概念，它们描述了半导体器件，特别是晶体管和二极管在特定工作状态下的电压
2024-09-19 14:47
在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空穴），从而控制
2023-01-17 13:59
IGBT芯片采用领先的Trench+Fieldstop技术，业内首次将压降芯片的工作结温提高到150℃，并大幅降低了其导通压降
2020-12-09 10:37
通态损耗Ps。大体来讲，通态损耗等于集电极电流和IGBT管饱和压降的乘积
2022-10-13 10:55
IGBT的安全运行。 IGBT是一种功能强大的功率开关器件，通常用于高电压和高电流应用中，具有较低的开关损耗和较高的开关速度。然而，当IGBT处于
2024-02-18 14:51
日本MITSUMI高输出NMOS LDO稳压器MM3501系列支持超低饱和压降。MM3501采用2路输入电源减少了电源转换器的导通电阻，因
2010-12-07 08:54
