CMOS的静电放电可能会导致电路损坏，而过压可能会导致电路过热，从而影响电路的性能和可靠性。因此，在使用CMOS时，应注意防止静电放电和过压。
2023-02-14 16:58
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS
2012-02-02 10:53
摘要：静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高，其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS
2010-05-11 08:53
对于模拟 CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
2020-11-25 10:26
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。静电由静电荷积累（V=q/C=1
2018-04-04 17:01
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。
2018-08-28 08:53
如何清理cookies呵呵，要离职了，上网的cookies不清理，那可不好。有隐私的了。。。。方法一：直接在IE浏览器"Internet Explorer"上点右键，然后“属性
2008-10-31 17:45
CMOS-4 - CMOS-4 - NEC
2022-11-04 17:22
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累（V
2018-10-22 16:02
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。静电由静电荷积累（V=q/C=1
2018-10-29 14:49
