问题1：最近，我们公司的技术专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，于是把降低了驱动电压到6.5V，之前我们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里
2016-12-21 11:39
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性
2017-04-06 14:57
1、功率MOSFET安全工作区SOA曲线功率MOSFET数据表中SOA曲线是正向偏置的SOA曲线，即FBSOA曲线，那么这个安全工作区SOA曲线是如何定义的呢？这个曲线
2016-10-31 13:39
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑 在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32
我看mosfet的技术手册，有两个转移特性曲线，但是不知道这两个的区别在哪，为什么不一样？
2015-10-23 20:51
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
MOSFET基本上已经导通。图1：AOT460栅极电荷特性对于上述的过程，理解难点在于：(1) 为什么在米勒平台区，VGS的电压恒定？(2) 驱动电路仍然对栅极提供驱动电流、仍然对栅极电容充电，为什么栅极
2016-11-29 14:36
MOSFET技术的过程中，以往常见以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)为基础的因子(FOM)已无法满足需求，若坚持采用固定因子，将可能导致技术选择无法达成优化。通过此次分析的启示
2019-07-04 06:22
减小RDS(on)的值，就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。图2：平面式MOSFET的电阻性元件通常，高压的功率MOSFET采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即
2018-10-17 16:43
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48
