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型号：<b class='flag-s-7'>J100N50X</b>4B 品牌：

TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签

2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T15J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值

2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：PMC-751<b class='flag-s-7'>X-J</b> 品牌：

PMC-751X-J故障解列装置PMC-751X-J故障解列装置适用于110kV及以下电压等级的负荷侧或小电源侧的故障解列。主要应用在光伏系统、生物质发电系统、余热发电系统、小水电系统、带小电源

2025-05-14 14:32 CET中电技术 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：AP9<b class='flag-s-7'>T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性

2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：C4532<b class='flag-s-7'>X5R0J107MT000N</b> 品牌：

深圳TDK 贴片电容 C4532X5R0J107MT000N 1812 X5R 6.3V 100UF 20%，这款电容TDK官网查询料号为:C4532X5R0J107M280KA，谷京科技供应100

2024-08-13 10:54 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T16J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够

2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9<b class='flag-s-7'>T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压

2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>X4C45J</b>1-05G 品牌：

TTM Technologies 的 X4C45J1-05G 是一款定向耦合器，频率为 3.6 至 5.1 GHz，耦合 5 dB，耦合变化 ± 0.7 dB，平均功率 5 W，插入损耗 0.5

2023-08-16 16:20 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号