功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03
与SiC/GaN开关的驱动相关的一个关键方面是它们需要其在高压和高频条件下工作。在这些条件下，根本不允许使用容性或感性寄生元件。设计必须精雕细琢，在设计电路板路由、定义布局时务必特别小心。
2018-10-11 10:26
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
碳化硅（SiC）是最成熟的WBG宽带隙半导体材料， 它已经广泛用于制造开关器件，例如MOSFET和晶闸管。氮化镓（GaN）具有作为功率器件半导体的潜力，并且在射频应用中是对硅的重大改进。
2020-04-30 14:35
，最优质的单晶GaN是通过几种需要昂贵的一次性碳化硅（SiC）衬底的外延工艺生长而成的，这限制了其在包括消费电子产品在内的更广泛市场中的商业化。IBM TJ Watson研究中心科学家最近的一项发现可能会在称为直接范德华外延的单晶
2021-04-04 06:17
自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时
2019-05-09 10:25
对于更紧凑的纯SiC/GaN应用，新型隔离式栅极驱动器ADuM4121是解决方案。该驱动器同样基于ADI公司的iCoupler数字隔离技术，其传播延迟在同类器件中最低 (38 ns)，支持最高开关
2018-05-24 17:24
