功率器件作为电力电子装置的核心器件，其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题，雪崩能力其中一个很重要的指标，如何理解雪崩，单次雪崩和重复雪崩是如何定义的，以及
2023-02-06 13:54
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38
雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压，使得空间电荷区展宽，从N+P结处一直展宽到IP+结处。
2019-12-06 13:50
IGBT关断时，如果关断过快，di/dt过大会导致Vce电压过大超过断态电压Uces时就有可能导致静态雪崩击穿。
2021-05-15 14:51
本文首先介绍了雪崩光电二极管的概念和主要特性然后简单分析了工作原理最后介绍雪崩光电二极管的应用和结构。
2019-08-01 10:10
特点，在电源管理、电机驱动等领域发挥着重要作用。然而，在使用功率MOSFET时，一个不可忽视的问题就是雪崩电流（Avalanche Current）。本文将对场效应管的雪崩电流进行深入的解析，探讨其产生原因、影响因素及防止措施。
2024-05-31 17:30
半导体中的雪崩效应是引起pn结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结，其空间电荷区内有很强的电场。
2018-08-20 10:04
本推文包含两个部分，一个是雪崩击穿和碰撞电离的关系，一个是光电器件仿真简介。旨在提倡用理论知识去指导仿真，和通过仿真结果反过来加深对理论理解的重要性。
2023-11-27 18:26
