STW9N150，N通道1500 V-1.8Ω-8 A-TO-247 超高压PowerMESH™ 功率MOSFET 特征■ 100%雪崩测试
2023-02-07 14:27 深圳市金和信科技有限公司 企业号
阻 RDS(ON)，将传导损耗降至最低低栅极电荷，实现快速开关低热阻100% 经过雪崩测试100% 经过动态雪崩电压应力（DVDS）测试应用内存 / 显卡核心电压
2025-02-28 13:43 深圳市点面线科技有限公司 企业号
描述BL6N120，硅N沟道增强MOSFET，由先进的MOSFET获得降低传导损耗的技术，提高开关性能并增强雪崩能量。晶体管适合用于开关电源、高速开关和通用应用程序。特点♦ 快速切换♦ 低Crss
2023-05-16 16:28 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
描述BL18N20是硅n通道增强MOSFET，通过先进的MOSFET技术获得，降低传导损耗，提高开关性能，提高雪崩能量。该晶体管是适用于SMPS、高速开关和通用应用的器件。特点♦ 快速切换♦ 低
2023-05-16 16:52 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
应用领域开关电源中的高效同步整流不间断电源高速功率开关硬开关和高频电路优势改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性完全表征的电容和雪崩安全工作区（SOA）增强体二极管的 dV/dt 和 di/dt
2025-04-03 16:50 深圳市点面线科技有限公司 企业号
MARP-BA56背面雪崩光电二极管 56 GBaudMARP-BA56 是一款背照式雪崩光电二极管 (APD) 芯片。该芯片可在 1250 至 1650 nm 范围内使用，并且在
2023-04-23 15:47 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
