有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件
2017-09-22 11:44
雪崩二极管如何帮助防止过电压？雪崩二极管的噪声是如何产生的？
2021-06-18 09:24
雪崩二极管的原理雪崩二极管的作用
2021-03-10 07:05
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 04:33 编辑 雪崩三极管产生的电流跟什么有关系？跟Icmax 有关吗 ？它主要由什么决定？`
2011-08-16 03:13
我需要做一个高斯脉冲发生器，用到雪崩三极管，要求如下：产生时域脉宽0.5ns的高斯脉冲，幅值100V-1000V，由于脉冲的时间间隔比较小，所以很难通过放大器什么的来实现。请大家推荐几个雪崩三极管来实现这个。。。
2014-08-28 11:02
在了解雪崩击穿和齐纳击穿的区别之前我们还是要先搞懂什么叫击穿！击穿就是电介质在足够高的电场强度作用下瞬间失去介电功能的现象。是电介质击穿形式之一。在电场作用下，电介质内少量自由电子动能增大，当电场
2022-03-27 10:15
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39
雪崩光电二极管探测器（APD）已经并将继续用于广泛的应用，包括激光测距仪，数据传输和光子相关研究。本研究深入研究了APD结构、基本性能参数和过量噪声因子。设计人员有三种用于200 至 1150
2023-02-06 14:15
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS
2018-09-05 15:37
