在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子
2010-12-30 10:12
MOSFET的UIS及雪崩能量解析 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程
2011-09-02 10:49
UIS：英文全称Unclamped Inductive Switching，中文译为非嵌位感性负载开关过程。
2023-11-24 15:33
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA曲线），而其它的某些参数自始至终就毫无用处（比如说：开关时间）。在这个即将开始的博文系列中，我们将试着破解FET数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
2024-12-30 10:23
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式：热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16
单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评
2024-11-25 11:31
理解MOSFET数据手册中的雪崩能量等级
2018-08-16 01:54
二极管，而沟道电流为零。 在开关管雪崩击穿过程中，能量集中在功率器件各耗散层和沟道中，在寄生三极管激活导通发生二次击穿时，MOSFET会伴随急剧的发热现象，这是能量释放的表现。
2019-04-28 19:24
一、概述 半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要
2018-06-20 12:06
